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国产芯片气体流体控制有哪些核心技术!
发布时间:2026-08-22        浏览次数:15        返回列表

半导体气体流体控制分为MFC 质量流量控制器、超高纯阀件、Gas‑Box / 气体分配模组、超高纯管路与表面处理、流体仿真与低死体积系统设计、数字化控制与安全联锁六大板块,覆盖刻蚀、PECVD、ALD、PVD、清洗设备的特气输送;国产目前 8 英寸成熟制程实现批量,12 英寸先进制程以验证、小批量为主,金属密封 MFC、ALD 特种阀仍是短板。

核心矛盾:不仅是把零件做出来,同时要满足ppt 级杂质、超低颗粒释放、强腐蚀特气兼容、毫秒级动态响应、长期无漂移、极低死体积六大工艺约束。

一、MFC 质量流量控制器核心技术

国内两条技术路线并行:热式 MFC、层流压差式 MFC;核心由流量传感芯片、执行阀、气路流道、闭环控制算法四部分构成中国工业新...。

1、流量传感技术

1)MEMS 热式传感技术

  • 原理:测量气体带走热量,获得质量流量;旁路式 Bypass、直通 Inline 两种结构;国产重点攻关 SOI 硅基 MEMS 传感芯片,将加热电阻、测温电阻集成在单芯片上,实现微小流量检测。

  • 关键难点:传感器薄膜制备、电阻温度系数匹配;抗污染涂层;解决特气沉积污染传感器带来零点漂移;不同气体热物性的多气体补偿标定算法。

  • 短板:热式对气体种类敏感;压力波动容易引入误差;极小流量信号弱,长期运行容易漂移。

2)层流压差式(P‑MFC)传感技术

  • 原理:哈根‑泊肃叶定律,精密层流元件产生压差,结合温度、压力计算质量流量,对气体种类不敏感,抗压力扰动强,适合刻蚀多变工况

  • 关键技术:微加工精密层流节流元件;差压传感器配对与温度补偿;消除双绝对传感器匹配漂移问题;小压差下信噪比提升。

国产代表:易度智能、芯笙布局压差路线,用于 ALD、刻蚀多变压力场景。

2、执行机构(控制阀)两大路线

1)压电陶瓷驱动金属密封阀

  • 核心:压电叠堆陶瓷,毫秒级快速开闭,响应 10ms 以内,全金属密封,无橡胶密封圈,兼容 Cl₂、WF₆等腐蚀特气,适合 ALD 高频脉冲工艺。

  • 技术难点:压电迟滞补偿;微小开度高精度控制;金属阀座长期往复微动作抗磨损;阀片材料、平面度、密封面超精密加工。

短板:高端压电陶瓷堆叠本体国内仍部分依赖进口。

2)电磁金属隔膜阀(中低端成熟制程)结构简单成本低;缺点响应慢,长期循环存在发热、磨损,不适合 ALD 高频脉冲。

重点:金属密封是先进制程刚需;橡胶密封 MFC 只能用于成熟非腐蚀工艺

3、流道本体与材料工艺

1)气路腔体 316L‑EP 超高纯电解抛光;强腐蚀工况采用哈氏合金; 2)极低死体积设计:减少气体残留,提升吹扫速度,降低颗粒滞留; 3)内部流道无死角,避免工艺气体反应沉积物堆积产生颗粒。

4、闭环控制与数字补偿算法

1)自适应多参数 PID 算法:根据流量区间、气体种类、上下游压力动态调整 PID 参数,实现阶跃快速稳定; 2)多气体数据库、温度‑压力‑气体物性多项式补偿; 3)零点自校准、漂移自诊断,在线监测传感器、阀泄漏,预测性维护; 4)工业数字通讯:RS485、Modbus,对标 SEMI 标准,对接设备 MES 系统。

国产差距:高端 MFC 长期连续跑片漂移控制、极小 sccm 微流量控制、压电阀迟滞补偿。

二、超高纯特种阀件核心技术(MFC、GasBox 基础)

阀门是流体系统颗粒、泄漏最大来源,分为金属隔膜阀、ALD 高频脉冲阀、控压钟摆阀、过滤器、单向止回阀

  1. 全金属隔膜密封技术

  • 核心:超薄特种合金隔膜,千万次往复疲劳寿命;隔膜成型、焊接、应力消除;实现无外泄漏,内部零死区,杜绝橡胶析出污染;

  • 技术点:隔膜材料(哈氏合金、特种不锈钢)、冲压成型、激光焊接、应力退火,控制长期疲劳断裂风险。

  1. ALD 高频脉冲阀技术ALD 需要毫秒级高频开闭,百万次循环寿命;国产攻克微型压电驱动 ALD 阀;难点:脉冲时序稳定性、微小流量重复一致性,频繁开关下隔膜疲劳失效。

  2. 压力控制阀芯技术控压钟摆阀、调压阀,实现上游压力剧烈波动下输出压力稳定;阀芯流体仿真优化,抑制振荡、啸叫。

  3. 超高纯过滤器技术金属粉末烧结过滤器;纳米级孔径控制;极低金属析出;耐压耐腐蚀;过滤同时自身不释放颗粒。

行业痛点:高端微小流量 ALD 阀、高精度金属密封调压阀国产化率低。

三、Gas‑Box(设备端气体分配模组)系统集成核心技术

Gas‑Box 是刻蚀 / CVD/ALD 设备内部整机供气单元,把 MFC、阀门、过滤器、压力传感器、接头集成为模块化子系统,正帆科技鸿舸为国内主力供应商。

  1. 低死体积流道布局设计

  • 流体仿真优化管路排布,减少弯头、盲管,最小化死容积;缩短气体切换、吹扫时间;

  • 两种结构:传统 VCR 接头;Surface Mount 表面贴装无管件模组,进一步降低死体积、减少泄漏点,是先进制程主流方向。

  1. 多介质兼容与安全设计兼容易燃、剧毒、腐蚀性特气;集成吹扫回路、泄压、压力监测、紧急切断;负压检漏,防止有毒气体泄漏。

  2. 洁净装配工艺百级 / 千级洁净车间装配;零部件超净清洗;无油无脂装配;严格颗粒管控;氦质谱检漏,漏率达到 1e‑9 atm・cc/s 级别。

  3. 模块化热仿真与抗干扰模组内部元器件热分布仿真,避免温度漂移影响 MFC 精度;振动隔离,隔绝设备本体振动传导。

  4. 标准化与可维护设计便于现场更换 MFC、过滤器;统一电气通信接口。

四、超高纯流道材料与表面处理核心技术

气体流体系统 80% 颗粒、金属离子污染来自流道内壁,是国产非常关键的底层技术。

  1. 316L UHP 不锈钢电解抛光 EP 工艺

  • 电化学抛光,内壁粗糙度 Ra<0.025μm;降低表面吸附、颗粒脱落、金属离子析出;

  • 难点:抛光均匀性;晶间腐蚀控制;表面钝化工艺,满足 SEMI F57 标准。

  1. 特种耐蚀材料工艺强腐蚀气体(Cl₂、HF、WF₆):哈氏合金、镍基合金;解决普通不锈钢腐蚀析出金属离子问题。

  2. 轨道自动焊接(Orbital welding)管道全自动轨道焊,焊缝平整无凹凸、无夹渣,减少颗粒滋生点;杜绝手工焊接缺陷。

  3. 超净清洗技术多步酸碱清洗、高纯水冲洗、真空烘烤除气;降低内壁吸附水、氧、碳氢杂质,实现 ppb 级杂质控制。

五、流体仿真与系统设计技术

  1. 多物理场 CFD 流体仿真

  • 流道内部流场仿真:抑制涡流、死区、回流;优化阀腔、接头、模组内部流路,减少颗粒滞留;

  • 压力损失仿真:保证各路气体压降均衡,避免 MFC 出口压力扰动;

  • 热‑流体耦合仿真,评估温度变化对流量传感器的漂移影响。

  1. 气路压力动态仿真模拟气体快速切换、阀门开闭瞬间的压力冲击,评估对 MFC 控制精度的扰动,指导增加阻尼、缓冲结构。

  2. 全系统吹扫仿真模拟吹扫置换时间,优化管路布局,缩短腔体气体置换时间,提升设备产能。

六、数字化、标定验证与安全联锁技术

  1. 高精度标定技术

  • 建立可溯源的标准标定台(临界流文丘里标准);覆盖几十 sccm 到 slm 全量程;多组分腐蚀特气标定,不只用氮气标定;

行业普遍问题:很多国产 MFC 只用 N₂标定,实际工艺气体下偏差放大。

  1. 全工况可靠性验证

  • 循环疲劳测试、温度循环、压力冲击、腐蚀气体长期老化;

  • 氦质谱全链路检漏;颗粒释放测试;

  • 模拟机台真实工况做长时间跑机验证,而不是只做实验室短时间测试。

  1. 安全联锁与故障诊断压力超限自动切断;泄漏监测;MFC、阀件故障日志记录;模组状态数据上传设备控制器。

七、国产当前技术短板总结

  1. MFC 层面:全金属密封高端 MFC,微小流量、长期跑片零点漂移;压电陶瓷堆叠本体;混合腐蚀特气下长期稳定性;

  2. 阀件层面:ALD 高频脉冲阀、高精度金属密封调压阀、微小流量特种阀寿命与一致性;

  3. 工艺层面:EP 电解抛光批量内壁一致性;部分镍基特种合金材料;

  4. 系统层面:Surface Mount 表面贴装 Gas‑Box 量产良率;整套模组长时间颗粒释放控制;

  5. 验证短板:缺少大量腐蚀特气长期工况数据库,很多产品氮气测试很好,真实工艺气体出现漂移、颗粒超标。

八、国内代表厂商技术侧重

  • 正帆科技(鸿舸):Gas‑Box 模组、流体系统集成,Surface Mount 模组,系统流体设计、洁净装配能力强;

  • 新莱应材:超高纯阀、隔膜阀、管路管件、EP 管路,金属密封零部件基础能力强;

  • 芯笙、汇博隆:MFC,压电金属密封 MFC,压差式路线;

  • 易度智能:层流压差式 MFC 路线;

  • 拓荆、北方华创、中微:设备厂内部自研部分流体控制模块,同时联合国内零部件厂商联合迭代。

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