一、湿法蚀刻机台（槽式 / 喷淋式）药液回路
BOE 缓冲氧化层刻蚀回路（HF + 氟化铵）控制 BOE 药液供给、循环、排放、溢流支路通断；BOE 腐蚀极强，SEBA 全 PFA 接液，无金属析出，避免 Na、Fe 等重金属污染晶圆氧化层刻蚀界面，适合栅氧、接触孔氧化层湿法去除。
铝刻蚀液（磷酸系铝蚀液）供液支路铝层湿法刻蚀（Al pad、铝互连）温度一般 40~50℃，药液含磷酸、硝酸、醋酸；SANC 系列隔膜阀用于 POU 使用点开关，控制喷淋头药液供给、废液排出，防止金属离子析出造成铝刻蚀不均、针孔。
氮化硅热磷酸刻蚀回路（H₃PO₄ 140~160℃）功率器件、分立器件 SiN 钝化层湿法刻蚀，高温磷酸工况，选用耐温规格 SEBA 阀，做药液循环切换、补液、排液控制；成熟功率产线（IGBT、MOS、SiC）大量使用。
HNA 硅湿法刻蚀（HF+HNO₃体系）硅片厚硅湿法挖槽、MEMS 结构释放，强氧化性 + HF 腐蚀，用于槽式刻蚀机药液分配支路。
二、中央化学品供给系统 CCSS/CDU（蚀刻药液柜）
蚀刻药库区的分配单元：
原液储罐出口阀、稀释配比支路阀、循环回流阀、氮气保压阀、取样阀；
配套 SEBA PFA 流量计、压力传感器，做蚀刻药液浓度配比、流量闭环控制；
覆盖：BOE、铝蚀液、磷酸氮化硅刻蚀液、稀释 HF、剥离液等所有湿法蚀刻化学品。
三、显影 + 刻蚀联动
光刻显影之后直接进湿法刻蚀的一体化 Track 机：
显影液、刻蚀液、DIW 冲洗、中和废液的多路切换阀；
多用于面板、LED、功率器件成熟制程，先进 7nm 以下制程 POU 一般还是欧美品牌为主，SEBA 主打28nm 及以上成熟逻辑、功率半导体、SiC/GaN、MEMS产线。
四、刻蚀后清洗
刻蚀完成后 SC1/SC2、HF 漂洗槽的管路阀件：
刻蚀之后残酸、金属副产物冲洗；阀件低析出，避免二次沾污；
皮拉 SPM 清洗槽、RCA 清洗槽同样大量共用 SEBA 流体组件。
五、干刻配套湿法后处理
RIE/DRIE 干法刻蚀之后，很多产线配湿法去胶、残渣清洗模块：
剥离液、氧化剂回路通断控制，属于刻蚀工序的后段配套。
六、典型不适用场景
不适合含固体颗粒的浆料（CMP 浆料，颗粒磨损隔膜）；
高温远超 90℃工况（磷酸 160℃槽内本体不用 SEBA 阀，只在槽外循环管路）；
EUV 先进节点高要求 POU 点位很少选用；
它不参与等离子干法刻蚀腔体内部、射频、气体管路，只走液相湿法药液。
