芯片封装流程是一个复杂且精密的过程，旨在将制造好的晶圆上的裸芯片进行保护、连接、加固和测试，最终形成可安装到电路板上的独立芯片。以下是详细的芯片封装流程：
来料检查（Incoming Inspection）：对晶圆、引线框架、焊线及封装材料等核心物料进行外观完整性、尺寸精度、电性能参数与成分构成的全面检测，确保所有原材料均符合预设的设计标准。
晶圆减薄（Wafer Backgrinding）：运用金刚石砂轮对晶圆基材实施磨削处理，将晶圆从初始厚度（约500~700μm）缩减到所需厚度（可能薄至50~300μm或更薄），以降低封装高度、提升芯片散热效率、改善电性能以及减少晶圆切割加工量。
晶圆贴膜（Wafer Mounting）：将胶带（如UV胶带或蓝膜）粘贴到晶圆背面，之后把晶圆固定在金属环上，防止在后续切割环节中芯片出现散落。
晶圆切割（Wafer Dicing）：
划片：用带有金刚石刀片的划片机沿着芯片之间的切割道划出深槽，或使用激光切割在晶圆内部或表面形成改质层或烧蚀切割道。
裂片：施加外力使晶圆沿着划痕断裂成单个芯片（适用于较脆的材料）。
芯片贴装（Die Attaching）：通过导电胶或焊料，将裸芯片精准固定到引线框架或基板上的指定位置，通常包含芯片拾取、胶水涂敷、芯片放置以及焊接固化等步骤。
引线键合（Wire Bonding）：借助热、压力或超声波的作用，通过细小的金属引线（如金线、铜线、铝线）将芯片的焊盘与引线框架的焊盘连接起来，实现电气导通。主要采用球形键合（Ball Bonding）和楔形键合（Wedge Bonding）两种焊接方式。
塑封成型（Molding）：用环氧树脂等塑封材料将键合好的芯片包裹起来，形成保护性外壳，提供机械保护、电气绝缘和辅助散热。工艺流程为预热→注塑→固化→后处理。
引脚处理（Lead Processing）：
去溢料（Deflashing）：清除塑封过程中溢出的多余模塑料，常用方法有机械方式（如干式喷砂、湿式喷砂和高压水流）、激光处理、化学电解和溶剂浸泡等。
电镀（Plating）：通过电化学沉积的方式在芯片引脚表面形成一层金属镀层，提升引脚的导电性、可焊性与抗腐蚀性，常用电镀工艺为化学镀镍和电镀锡。
激光打标（Laser Marking）：利用激光在芯片表面刻蚀信息，如厂家的标志、芯片型号、生产批次等内容。
切筋成型（Trim & Form）：
切筋：切除引线框架外围的连接筋和溢料。
成型：将引脚压弯成形（如直插形、鸥翼形和J形）。
最终测试（Final Test）：对封装完成的芯片进行全面的功能和参数测试，确保其符合设计规格和质量标准。测试内容通常包括开短路测试、直流参数测试（电压、电流）、交流参数测试（频率、时序）、功能测试等，测试环境可能包括常温、高温、低温（三温测试）等。
包装出货（Packaging）：将测试合格的芯片按照客户要求进行包装（如编带、托盘、管装、防静电袋等），并贴上标签，准备出货。
